ПОЛУПРОВОДНИК-УСИЛИТЕЛЬ

Вот он перед нами — германиевый триод, кристаллик, идущий на смену пустоте, на смену стеклянному пузырю радиолампы. Он похож на крошечный, величиной с горошинку, грибок. Из шляпки тянутся три проволочки.

^{Полупроводниковые триоды. Насколько они меньше радиолампы!}

Вскройте его, и вы убедитесь, что даже в сталь миниатюрном устройстве подавляющая часть объема занята  {119}  корпусом, оболочкой. А сам кристалл еще в десятки раз меньше.

Разберемся, как устроен прибор, как управляет он потоками электронов. На металлической подножке, которую называют базой, покоится кристаллическая пластиночка германия с электронной проводимостью. На верхней поверхности кристалла специальной обработкой создана область с дырочной проводимостью. Между дырочной и электронной областями, как всегда в подобных случаях, возникает запирающий слой. К поверхности кристалла присоединены рядом концы двух тончайших платиновых проволочек. Одна из них называется эмиттером, Другая — коллектором.

Эмиттер, коллектор и база — три электрода кристаллического усилителя. Они соответствуют катоду, аноду и сетке радиолампы. Но в усилительную схему кристалл вводится не так, как радиолампа.

Источник управляющих сигналов включается между базой и эмиттером. Включение делают с таким расчетом, чтобы запирающий слой не служил препятствием для управляющих сигналов (электрическое поле сигналов направляют против электрического поля запирающего слоя). Источник тока сравнительно высокого напряжения, которым нужно управлять, подводят через сопротивление к коллектору и базе. Но его включают в противоположном направлении, чтобы запирающий слой не пропускал тока.

{120}

^{Схема полупроводникового триода.}

Схема готова. Подадим управляющий сигнал.

Через проволочку эмиттера в дырочную область кристаллика входит импульс электрического поля. Он прорывает брешь в запирающем слое и увлекает туда дырки. Таким образом, дырки как бы впрыскиваются эмиттером в электронную область кристаллика. Недолго блуждая в кристалле, они успевают попасть под проволочку коллектора, А когда запирающий слой на мгновение обогащается здесь дырками, он делается электропроводным и для тока высокого напряжения, включенного между базой и коллектором. Толчок этого тока пролетает через запирающий слой в «запретном» направлении. Это немедленно сказывается на состоянии внешней цепи прибора. Там возникает усиленный сигнал. Он тем значительнее, чем ближе расположены на кристалле концы проволочек эмиттера и коллектора.